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罗工17324413130

国标标准:GB/T 13539.4《低压熔断器 第4部分》测试要求

更新时间
2024-11-05 20:00:00
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详细介绍

此标准为CCC(3C)认证/强制性产品认证检测标准。


标准编号标准名称实施日期状态
GB/T 13539.4-2016低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求2016/11/1现行


标准号 Standard No.中文标准名称 Standard Title in Chinese英文标准名称 Standard Title in English状态 State备注 Remark
GB/T 13539.4-2009低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求Low-voltage fuses Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices废止

2009-11-01实施

GB/T 13539.4-2005低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices废止

2006-04-01实施,代替GB 13539.4-1992

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。

Test Requirement 测试要求:


标准 / Standard项目/参数 / Test Items检测标准(方法) / Test Method tecert.com
低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016标志低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 6
尺寸低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.4
电阻低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.5.1
熔断器支持件的布置低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.1
绝缘性能验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.2
隔离适用性验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.3
温升与耗散功率低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.3
约定不熔断电流与约定熔断电流验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.1
熔断体的额定电流验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.2
时间-电流特性和门限验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.3
过载低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.4
约定电缆过载保护低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.5
指示装置和撞击器动作低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.6
分断能力验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.5
截断电流特性验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.6
I2t特性和过电流选择性验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.7
外壳防护等级验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.8
耐热性验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.9
触头不变坏验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.10
机械强度低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.1
耐应力腐蚀龟裂验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.1
耐非正常的热和火验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.2
耐锈性验证低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.3


Sample Size 样品数量 / 送样规格: on request
Lead Time / TAT (Turn Around Time) 测试周期: 常规服务 Regular service 7-9 working days

Report Summary 报告摘要:

 

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联系方式

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  • 检测工程师:罗卓文
  • 手  机:17324413130