国标标准：GB/T 13539.4《低压熔断器 第4部分》测试要求
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此标准为CCC(3C)认证/强制性产品认证检测标准。
| 标准编号 | 标准名称 | 实施日期 | 状态 |
| GB/T 13539.4-2016 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 | 2016/11/1 | 现行 |
| 标准号 Standard No. | 中文标准名称 Standard Title in Chinese | 英文标准名称 Standard Title in English | 状态 State | 备注 Remark |
| GB/T 13539.4-2009 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 | Low-voltage fuses Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices | 废止 | 2009-11-01实施 |
| GB/T 13539.4-2005 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 | Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices | 废止 | 2006-04-01实施,代替GB 13539.4-1992 |
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
Test Requirement 测试要求：
| 标准 / Standard | 项目/参数 / Test Items | 检测标准（方法） / Test Method tecert.com |
| 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | 标志 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 6 |
| 尺寸 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.4 | |
| 电阻 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.5.1 | |
| 熔断器支持件的布置 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.1 | |
| 绝缘性能验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.2 | |
| 隔离适用性验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.3 | |
| 温升与耗散功率 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.3 | |
| 约定不熔断电流与约定熔断电流验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.1 | |
| 熔断体的额定电流验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.2 | |
| 时间-电流特性和门限验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.3 | |
| 过载 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.4 | |
| 约定电缆过载保护 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.5 | |
| 指示装置和撞击器动作 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.6 | |
| 分断能力验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.5 | |
| 截断电流特性验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.6 | |
| I2t特性和过电流选择性验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.7 | |
| 外壳防护等级验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.8 | |
| 耐热性验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.9 | |
| 触头不变坏验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.10 | |
| 机械强度 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.1 | |
| 耐应力腐蚀龟裂验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.1 | |
| 耐非正常的热和火验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.2 | |
| 耐锈性验证 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.3 |
Sample Size 样品数量 / 送样规格: on request
Lead Time / TAT (Turn Around Time) 测试周期: 常规服务 Regular service 7-9 working days
Report Summary 报告摘要:
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