根据开关电源产生共模、差模干扰的特点，将整个频率范围划分为3个部分：

即0.15-0.5MHz 差模干扰为主；

0.5-5MHz 差、共模干扰共存；

5-30MHz 共模干扰为主。

重点注意的是，滤波器件应该远离变压器、散热器，否则很容易跳过滤波电路，直接耦合到L,N线导致EMI超标。

一． 1MHZ 以内，以差模干扰为主。（整改建议）

1. 增大 X 电容量；

2. 添加差模电感；

3. 小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

二 . 1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X(0.47uF或更大容量) 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决（整改建议）

1. 对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；

2. 对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；

3. 也可改变整流二极管特性来处理例如：快速二极管如 FR107 用普通整流二极管 1N4007来代替。

三 . 5M 以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法（整改建议）

1. 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;

2. 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环，然后通过一条线连接到原边的参考地。

3. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电解并联电容的大小。

四 .20-30MHZ，（整改建议）

1. 对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置；

2. 调整一二次侧间的 Y1 电容位置及电容量；

3. 在变压器外面包铜箔；变压器*里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

五 .30-50MHZ，（整改建议）

1.增加原边MOS管的驱动电阻，MOS管D,S之间并10-100pF的高压瓷片电容（或RC电路）。对大功率电源MOS管D极串引线或贴片磁珠。

2.RCD的缓冲电路采用慢管，RCD的二极管串联10-100Ω的电阻。

3.VCC供电的二极管用慢管。

4. 调整一二次侧间的 Y1 电容位置及电容量；

5.减小原边功率环（即MOS管，变压器，大电解回路的）的面积。

6.对单路大电流输出的适配器等，输出电解后加双线并绕的共模电感，圈数尽量大于3圈。

六．.50-80MHZ，（整改建议）

1.减小副边功率环（即二极管，变压器，输出电解回路的）的面积。对大功率电源二极管正极可以串引线或贴片磁珠。

2.输出电解可以采用PI型滤波（靠近二极管的电容，容值稍大）。

3.对单路大电流输出的适配器等，输出电解后加双线并绕的共模电感，圈数尽量大于3圈。

4.调整输出二极管并联的RC吸收的参数。

七．200MHz 以上，开关电源已基本辐射量很小，一般均可过 EMI 标准。

EMI尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧，将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧，高频大电流铜箔尽量短，用EMC的仪器测试都没有什么问题，当然低端的用Pai型滤波就可以，20W以上则要变压器屏敝+共模电感，当有Y电容时，后级纹波的大小对EMI影响较大;另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多，成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过，特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压，会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上，这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到*少，就是很难的问题，共模滤波部分跟初级怎样布局，大电解电容怎样放置，散热器器怎么做，接地应该怎么样接，都需要考虑，X电容与Y电容的排法，都很有讲究。比如：共模电感下面不要走初级的任何铜线，但滤波电路可以通过，如果有PFC电感，这个电感离共模电感要远，而且这个电感下面**不要放置控制IC，特别是CRM模式的PFC。